国产7nm有信了 中芯国际不用EUV光刻机也能搞定

国内最大的晶圆代工厂中芯国际在Q4季度中已经量产14nm工艺，贡献了1%的营收，该工艺能够满足国内95%的芯片生产。

中芯国际14nm工艺现在最重要的问题还是产能，主要是在上海的中芯南方12英寸晶圆厂生产，去年底也就生产了1000片晶圆左右，产量很低。

根据中芯国际联席CEO梁孟松的说法，14nm月产能将在今年3月达到4K，7月达到9K，12月达到15K。

中芯国际的14nm产能在15K晶圆/月之后应该不会继续提升了，还有更新的工艺。

其中基于14nm改良的12nm工艺也进入客户导入阶段了，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。

不过14nm工艺相比台积电、三星的工艺依然存在2-3代的差距，而且满足不了制造当前最高性能水平的处理器，所以中芯国际还在发展更新一代的N+1、N+2工艺。

在这次的财报会议上，梁孟松博士也首次公开了N+1、N+2代工艺的情况，他说N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

中芯国际一直没有明确14nm之后是否跳过10nm工艺，所以这个N+1到底是10nm还是7nm不能确定，但根据上面的说法，N+1基本上可以确定是7nm级别的工艺了，因为芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍，这超过了14nm到10nm工艺的进化水平，台积电从14nm到7nm也就是提升了1倍的密度。

不过梁孟松也提到了，N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能不如，业界标准是提升35%，所以中芯国际的N+1工艺主要开始面向低功耗的。

N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然是面向高性能的，成本也会增加。

至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。

从梁孟松的解释来看，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电的路线差不多，7nm节点一共发展了三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+，前两代工艺也没用EUV光刻机，只有N7+工艺上才开始用EUV工艺，不过光罩层数也比较少，5nm节点寸是充分利用EUV光刻工艺的，达到了14层EUV光罩。

还有就是中芯国际的7nm级工艺问世时间，之前的财报中梁孟松提到是在2020年底开始试验产能，真正生产要到2021年了。

（免责声明：本网站内容主要来自原创、合作媒体供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。
任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。 ）

相关阅读