芯片丨三星电子将向其中国芯片工厂再投资80亿美元

【TechWeb】12月13日消息，据国外媒体报道，三星电子将向其位于中国的芯片工厂增加80亿美元的投资，以提高NAND闪存芯片的产量。

此次投资正值内存芯片行业预计明年出现反弹之际，而今年该行业增长缓慢。这在很大程度上是由于供应不足以及市场对5G设备的需求增加。目前，世界各地都在测试5G网络。

这80亿美元的投资，是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资。此前，在2017年，该公司宣布，计划在3年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。

该公司二期项目的总投资为150亿美元，预计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。

自2014年以来，三星一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。从技术层面来说，NAND芯片可永久保存数据，是许多计算和存储设备的一部分，可用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘。

此前，三星还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。

在NAND闪存领域，三星与包括韩国SK海力士（SK Hynix）、美光科技、西部数据、英特尔和东芝在内的竞争对手展开激烈竞争。（小狐狸）

（免责声明：本网站内容主要来自原创、合作媒体供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。
任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。 ）

相关阅读